低本底半导体探测器

金硅面垒半导体探测器己广泛用于 α 能谱分析。 它们的灵敏面积在 25 ～ 450 mm2，抽空使用时能量分辨率（对 5. 5 MeV）好可达到 13～30 keV。 但是通常作为环境样品低水平α能谱分析用的半导体探测器，一般只能采用较大面积（如直径 2. 5 cm 左右），而且总是在室温下不必抽空使用，因此其能量分辨本领半高全宽（FWHM）一般可能要大于 50 ～60 keV。

低本底的探测原理

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探测原理：探测器顶端的闪烁体是由α闪烁物质和β闪烁物质压制在的有机玻璃板上。由于α粒子和β射线进入闪烁物质时后，将全部能量损失在闪烁物质上，引起闪烁发光，闪烁光子被光电倍增管接收并转换产生电信号。电信号进入电子线路，转换成电脉冲信号，被记录。每一个α粒子撞击闪烁体后产生的光信号进入电子线路整合后在显示器上被记录成一个计数。所以低本底αβ测量仪也被通俗叫做低本底αβ计数器。计数率与样品中核素活度（发射的αβ粒子数量）成正比。

低本底测量仪的探测器

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探测器

1、主探测器闪烁体采用自研自产低本底αβ闪烁体，不怕污染，表面可擦洗，一路总α总β公司，

2、反符合探测器闪烁体采用自研自产闪烁体，反符合效率大于99%，较大程度通过反符合电路降低本底

3、探测器采用紧凑型结构，体积小，一路总α总β，性能好

4、探测器采用高频通信级别SMB同轴接口，高频通过性强，屏蔽效果好，更好保留原始信号信息

5、仪器效率较高，本底低，一路总α总β批发，串道比低，一路总α总β供应商，长期稳定性好，无需耗材

6、提供不同规格的探测器及样品盘供用户选择，适用不同的测试需求

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